[发明专利]光电子器件以及用于制造光电子器件的方法有效
申请号: | 201480036962.0 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN105556687B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | J.莫斯布格尔;I.施托尔;T.施瓦茨;M.里希特;G.迪尔舍尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L25/16;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;张涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光电子器件(10、20、30、40)包括光电子半导体芯片(200),所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体(100)中,使得所述光电子半导体芯片(200)的上侧(201)至少部分地没有被成形体(100)覆盖。在成形体(100)的上侧(101)上布置有第一金属化部(510)。第一金属化部(510)相对所述光电子半导体芯片(200)被电绝缘。在第一金属化部(510)上布置有第一材料(610、615)。 | ||
搜索关键词: | 光电子 器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.光电子器件(10、20、30、40),具有光电子半导体芯片(200),所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体(100)中,使得所述光电子半导体芯片(200)的上侧(201)至少部分地没有被所述成形体(100)覆盖,其中在所述成形体(100)的上侧(101)上布置有第一金属化部(510),其中所述第一金属化部(510)相对所述光电子半导体芯片(200)被电绝缘,其中在第一金属化部(510)上布置有第一材料(610、615)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480036962.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。