[发明专利]光电子器件以及用于制造光电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201480036962.0 申请日: 2014-06-25
公开(公告)号: CN105556687B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: J.莫斯布格尔;I.施托尔;T.施瓦茨;M.里希特;G.迪尔舍尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L25/16;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/44
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;张涛
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 光电子器件(10、20、30、40)包括光电子半导体芯片(200),所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体(100)中,使得所述光电子半导体芯片(200)的上侧(201)至少部分地没有被成形体(100)覆盖。在成形体(100)的上侧(101)上布置有第一金属化部(510)。第一金属化部(510)相对所述光电子半导体芯片(200)被电绝缘。在第一金属化部(510)上布置有第一材料(610、615)。
搜索关键词: 光电子 器件 以及 用于 制造 方法
【主权项】:
1.光电子器件(10、20、30、40),具有光电子半导体芯片(200),所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体(100)中,使得所述光电子半导体芯片(200)的上侧(201)至少部分地没有被所述成形体(100)覆盖,其中在所述成形体(100)的上侧(101)上布置有第一金属化部(510),其中所述第一金属化部(510)相对所述光电子半导体芯片(200)被电绝缘,其中在第一金属化部(510)上布置有第一材料(610、615)。
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