[发明专利]半导体片制造方法、包括半导体片的电路板和成像设备

摘要

该半导体片制造方法具有用于形成具有其宽度从半导体基底(W)的前表面至后表面逐渐减小的第一凹槽部分的前表面侧细微凹槽的步骤；在形成前表面侧细微凹槽之后粘附划片带的步骤，所述划片带在其前表面上具有粘合剂层；利用旋转划片刀从基底的后表面侧沿着前表面侧细微凹槽形成后表面侧凹槽的步骤，所述后表面侧凹槽的宽度大于前表面侧细微凹槽的宽度；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面剥离划片带的步骤。

主权项

一种半导体片制造方法，包括：在包括宽度从基底的前表面朝其后表面逐渐变窄的第一凹槽部分的前表面侧上形成凹槽的处理；在形成前表面侧上的凹槽之后将具有粘合剂层的保持构件附着至前表面上的处理；通过旋转切割构件从基底的后表面侧沿着前表面侧上的凹槽形成宽度大于前表面上的凹槽的宽度的后表面侧上的凹槽的处理；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面分离保持构件的处理；其中，前表面侧上的凹槽包括从第一凹槽部分的最下部朝着基底的后表面延伸并且宽度不比最下部的宽度更窄的第二凹槽部分；其中，通过各向异性干蚀刻形成前表面侧上的凹槽；以及其中，在形成前表面侧上的凹槽的同时，各向异性干蚀刻的强度从其中前表面侧上的凹槽的宽度从基底的前表面朝着其后表面逐渐变窄的第一强度改变为与第一强度相比沿着凹槽的侧壁方向或向下的方向具有强蚀刻强度的第二强度，以在前表面侧上形成凹槽。