[发明专利]固体摄像装置有效
申请号: | 201480034183.7 | 申请日: | 2014-09-06 |
公开(公告)号: | CN105556674B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 关根弘一 | 申请(专利权)人: | SETECH有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/369 |
代理公司: | 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 | 代理人: | 温青玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种背面照射型固体摄像装置,该装置增大光电二极管的存储电荷量,简化层叠型光电二极管的读出路径。通过使背面照射型固体摄像装置的光电二极管为存储门结构,从而增加存储电荷量和灵敏度。另外,在入射光方向设置将光电二极管分离的屏障区域,以对存储门施加的脉冲电压,控制屏蔽区域的屏蔽高度,从而控制在入射方向分离的层叠型光电二极管间的信号电荷的输送,简化层叠型光电二极管的读出。根据该结构,可以不降低集成度而进行全局快门,不使用滤色镜而改变光电二极管的光谱特性,改善S/N。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种背面照射型固体摄像装置,矩阵状地配置着存储有被光电转换出的信号电荷的层叠型光电二极管,包括:MOS型的存储门,背面照射型固体摄像装置中,在入射光的相反侧露出的光电二极管上部通过绝缘膜而被形成;层叠型光电二极管,在入射光正交的面方向进行延伸,并且通过与所述光电二极管的相反导电类型的杂质区域而分离,成为存储门侧的第1光电二极管和入射光面侧的第2光电二极管的双层结构;与所述存储门相邻而形成的转移门;所述层叠型光电二极管通过对所述存储门施加脉冲电压,从而在所述层叠型光电二极管间转移信号电荷;其中,所述第1光电二极管被配置为从所述第2光电二极管独立地存储信号电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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