[发明专利]提供关于半导体元器件的老化状态的信息有效

专利信息
申请号: 201480033683.9 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN105431745B 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 马尔科·博尔拉恩德尔 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;李慧
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 对于具体的功率半导体能可靠地确定老化状态。对此在半导体元器件(IGBT 1)开始运转之前测定温度电压特征曲线(S1)和半导体元器件的热阻的参考阻值(S2)。在开始运转之后为了确定当前的热阻值(S5)而确定半导体元器件在其加热时的温度上升(S3,S4)。随后测定当前的热阻值和参考阻值之间的差(S6),并且取决于此地给出关于老化状态的信息(S7)。
搜索关键词: 提供 关于 半导体 元器件 老化 状态 信息
【主权项】:
1.一种用于提供关于功率电子设备的半导体元器件的老化状态的信息(Info)的方法,所述方法如下实现‑在所述半导体元器件开始运转之前:о测定(S1)所述半导体元器件的温度相对于在所述半导体元器件上的电压的特征曲线,并且о从所述半导体元器件的温度上升和损失功率的商中测定(S2)所述半导体元器件的热阻的参考阻值,‑在所述半导体元器件开始运转之后:о测量(S3)在存在测量电流时在所述半导体元器件上的电压,并且根据所述特征曲线从测量的电压中确定参考温度值,о通过由损失功率引起的负载电流加热(S4)所述半导体元器件,测量在加热后在所述半导体元器件上存在所述测量电流时的当前电压,并且根据所述特征曲线从所述当前电压中确定当前的温度值,о从在所述当前的温度值和所述参考温度值之间测定的温度上升中确定(S5)所述半导体元器件的当前的热阻值和所述损失功率,о测定(S6)所述当前的热阻值和所述参考阻值之间的差,并且о取决于所述差,发出(S7)关于所述半导体元器件的所述老化状态的所述信息(Info),其中,设置用于集成的通信系统,所述通信系统借助于合适的通信连接传输关于所述半导体元器件的所述老化状态的所述信息。
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