[发明专利]热优化相变存储器单元及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480028746.1 申请日: 2014-05-12
公开(公告)号: CN105229786B 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 马蒂亚·博尼亚蒂;安德烈亚·雷达埃利 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L45/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种热优化相变存储器单元包含安置于第一电极与第二电极之间的相变材料元件。所述第二电极包含所述第一电极上方的具有第一热阻率的热绝缘区域及内插于所述相变材料元件与所述热绝缘区域之间的金属接触区域,其中金属接触层具有低于所述第一热阻率的第二热阻率。
搜索关键词: 优化 相变 存储器 单元 及其 制造 方法
【主权项】:
一种电子装置,其包括:第一电极;相变材料元件,其安置在所述第一电极上;第二电极,其安置在所述相变材料元件上,所述第二电极包括热绝缘区域,所述热绝缘区域包括碳且具有第一热阻率,及金属接触区域,其内插于所述相变材料元件与所述热绝缘区域之间,所述金属接触区域具有低于所述第一热阻率的第二热阻率,其中所述第一电极、所述第二电极和所述相变材料元件具有尺寸和电阻率,以使得所述相变材料元件的块状材料的电阻大于所述热绝缘区域的块状材料、所述金属接触区域的块状材料以及所述金属接触区域和所述相变材料元件之间的界面的组合电阻。
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