[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

摘要

在至少一个实施方式中，提出一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法包括下述步骤：A)提供载体复合件(11)，所述载体复合件是蓝宝石晶片；B)将半导体层序列(2)施加到载体复合件(11)上；以及C)将载体复合件(11)和半导体层序列(2)分成各个半导体芯片(10)。在此，步骤C)包括：D)在载体复合件(11)中在分离区域(S)中通过聚焦的、脉冲的激光辐射(L)分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中激光辐射(L)具有下述波长，在所述波长下，载体复合件(11)是透明的；以及E)将材料改变部湿化学地刻蚀，使得载体复合件(11)仅通过湿化学的刻蚀或以与其他的材料去除法组合的方式分割成用于半导体芯片(2)的各个载体(1)。

主权项

一种用于制造多个光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法具有下述步骤：A)提供载体复合件(11)，所述载体复合件是蓝宝石晶片；B)将具有至少一个用于产生电磁辐射的有源区的半导体层序列(2)施加到所述载体复合件(11)上；以及C)在相邻的半导体芯片(10)或半导体芯片组之间的分离区域(S)中，将所述载体复合件(11)和所述半导体层序列(2)分成各个半导体芯片(10)或半导体芯片组；其中所述步骤C)包括：D)在所述载体复合件(11)中在所述分离区域(S)中通过聚焦的、脉冲的激光辐射(L)分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中所述激光辐射(L)具有下述波长，在所述波长下，所述载体复合件(11)是透明的；以及随后E)将所述材料改变部湿化学地刻蚀，其中‑将所述载体复合件(11)通过湿化学的刻蚀与其他的材料去除法组合的方式分割成用于所述半导体芯片(10)或用于所述半导体芯片组的各个载体(1)，‑在步骤C)中，通过所述分离区域(S)形成所述载体(1)的平滑的侧面(3)；‑所述分离区域(S)没有完全地穿过所述载体；‑在产生所述侧面(3)之后，将至少一个镜层(6)在所述分离区域(S)中施加到所述侧面(3)上；‑在所述半导体层序列(2)的背离所述载体复合件(11)的一侧上，安置暂时的辅助载体(12)；以及‑在安置所述辅助载体(12)之后，借助其他的材料去除法进行分割，并且所述其他的材料去除法是磨削或研磨。