[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

说明书

在至少一个实施方式中，提出一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法包括下述步骤：A)提供载体复合件(11)，所述载体复合件是蓝宝石晶片；B)将半导体层序列(2)施加到载体复合件(11)上；以及C)将载体复合件(11)和半导体层序列(2)分成各个半导体芯片(10)。在此，步骤C)包括：D)在载体复合件(11)中在分离区域(S)中通过聚焦的、脉冲的激光辐射(L)分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中激光辐射(L)具有下述波长，在所述波长下，载体复合件(11)是透明的；以及E)将材料改变部湿化学地刻蚀，使得载体复合件(11)仅通过湿化学的刻蚀或以与其他的材料去除法组合的方式分割成用于半导体芯片(2)的各个载体(1)。

技术领域

提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。此外，提出一种相应制造的半导体芯片。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种方法，借助所述方法能够有效地并且多样地制造半导体芯片。

所述目的此外通过。一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法来实现。优选的改进方案是实施例的主题。一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述方法具有下述步骤：

A)提供载体复合件，所述载体复合件是蓝宝石晶片；

B)将具有至少一个用于产生电磁辐射的有源区的半导体层序列施加到所述载体复合件上；以及

C)在相邻的半导体芯片或组之间的分离区域中，将所述载体复合件和所述半导体层序列分成各个半导体芯片或半导体芯片组；

其中所述步骤C)包括：

D)在所述载体复合件中在所述分离区域中通过聚焦的、脉冲的激光辐射分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中所述激光辐射具有下述波长，在所述波长下，所述载体复合件是透明的；以及随后

E)将所述材料改变部湿化学地刻蚀，

其中

-将所述载体复合件通过湿化学的刻蚀与其他的材料去除法组合的方式分割成用于所述半导体芯片或用于所述组的各个载体，

-在步骤C)中，通过所述分离区域形成所述载体的平滑的侧面；

-所述分离区域没有完全地穿过所述载体；

-在产生所述侧面之后，将至少一个镜层在所述分离区域中施加到所述侧面上；

-在所述半导体层序列的背离所述载体复合件的一侧上，安置暂时的辅助载体；以及

-在安置所述辅助载体之后，借助其他的材料去除法进行分割，并且所述其他的材料去除法是磨削或研磨。

根据至少一个实施方式，方法用于制造光电子半导体芯片。光电子半导体芯片优选是发光器件，如发光二极管、简称LED，或者也是激光二极管，简称LD。

根据至少一个实施方式，方法包括提供载体复合件的步骤。载体复合件包括多个用于半导体芯片或用于半导体芯片组的单独的载体。在载体复合件中，各个载体机械固定地彼此连接。载体复合件特别优选是蓝宝石晶片。换言之，载体复合件进而用于半导体芯片的载体分别由蓝宝石形成。

根据至少一个实施方式，方法具有将一个或多个半导体层序列施加到载体复合件上的步骤。施加特别优选是外延生长。换言之，载体复合件进而蓝宝石晶片是用于半导体层序列的生长衬底。对此替选地，半导体层序列也能够以其他方式施加到载体复合件上，例如借助于焊接、粘接或晶片接合。