[发明专利]具有改善传导能力的高频导体有效
申请号: | 201480022203.9 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN105493246B | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | M.米库利克斯;H.哈特德根;D.格吕茨马歇尔 | 申请(专利权)人: | 于利奇研究中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/285 | 分类号: | H01L21/285;H01L29/423;H01L31/0224;H01L31/108;H01L23/528;H01L29/778;H01L29/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 朱君,刘春元 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有改善传导能力的高频导体。它包括至少一个导电的基础材料。根据本发明基础材料的可由电流穿透外部和内部表面对基础材料的总体积的比例通过a)基础材料垂直于电流方向分成至少两个节段,该至少两个节段通过导电的插件分隔以及电和机械彼此相连,和/或b)在基础材料的表面中或上的地形结构和/或c)基础材料的至少一个部分的内部多孔性比较基础材料的成型提高,在成型中省略相应特征。可认识到,可通过成型有关的措施如此空间上布置相同数量的基础材料,使得较大部分的基础材料位于从外部或内部表面的最高的趋肤深度的距离并且因此参与电流传输。因此较小部分由于趋肤效应保持未使用。 | ||
搜索关键词: | 具有 改善 传导 能力 高频 导体 | ||
【主权项】:
高频导体,包括至少一种导电的基础材料,其中,所述基础材料的可由电流穿透的外表面和内表面与所述基础材料的总体积的比例通过将所述基础材料垂直于电流方向划分成至少两个节段来相比于所述基础材料的其中省略该划分的成型而提高,所述至少两个节段通过导电的插件分隔并且彼此电气和机械地相连,其特征在于,‑所述插件由以下材料组成:所述材料可由腐蚀剂侵蚀,相对于所述腐蚀剂所述基础材料是耐久的,以及‑至少一个节段在每个垂直于电流方向的方向上具有在最大运行频率的情况下两倍的基础材料趋肤深度和在最低运行频率的情况下2.5倍的基础材料趋肤深度之间的延展。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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