[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种在栅极·漏极之间不外置电容以及电阻，且能够抑制由于开关时所导致的栅极振荡现象。一种具有被划定在将低电阻半导体层112与漂移层114层积而成的半导体基板110中的MOSFET部以及栅极衬垫部的半导体装置100，栅极衬垫部包括：低电阻半导体层112，被形成在低电阻半导体层112上的漂移层114，作为在漂移层114上经由场绝缘层134从而被形成为经过栅极衬垫整个面的导电体层的多晶硅层136以及栅极衬垫用电极138；以及在漂移层114的表面中，由与源极电极层128电气连接的p⁺型扩散区域132a，和p型杂质非扩散区域132b交替形成的栅极振荡抑制结构132。

主权项

1.一种包括有源器件部以及栅极衬垫部的半导体装置，该有源器件部以及栅极衬垫部被划定在将第一导电型或者第二导电型的低阻抗半导体层与第一导电型的漂移层层积而成的半导体基板中，其特征在于:其中，所述有源器件部包括：所述低阻抗半导体层；被形成在所述低阻抗半导体层上的所述漂移层；被形成在所述漂移层表面的第二导电型基极区域；被形成在所述基极区域表面的第一导电型高浓度掺杂扩散区域；在被夹在所述高浓度掺杂扩散区域和所述漂移层之间的所述基极区域上经由栅极绝缘层被设置的栅极电极层；以及被形成为在与所述栅极电极层经由层间绝缘膜从而被绝缘的状态下与所述高浓度掺杂扩散区域以及所述基极区域的表面相连接的第一电极层，所述栅极衬垫部包括：所述低阻抗半导体层；被形成在所述低阻抗半导体层上的所述漂移层；在所述漂移层上经由厚度为200nm～500nm的场绝缘层被形成为经过所述栅极衬垫部整个面的导电体层；以及在所述漂移层的表面中，由与所述第一电极层电气连接的多个第二导电型掺杂扩散区域和与该多个第二导电型掺杂扩散区域分别邻接的第二导电型掺杂非扩散区域交替形成的栅极振荡抑制结构，其中，所述多个第二导电型掺杂扩散区域和所述多个第二导电型掺杂非扩散区域均位于所述场绝缘层下方，所述第二导电型掺杂非扩散区域由所述第一导电型的漂移层的一部分而构成，所述导电体层为形成在所述场绝缘层与被形成在所述场绝缘层的上方的栅极衬垫用电极层之间的多晶硅层，所述第二导电型掺杂非扩散区域至少形成在从所述半导体装置的平面看去的所述栅极衬垫部中的中央部分，并且从所述半导体装置的截面看去该第二导电型掺杂非扩散区域至少有三处。