[发明专利]太阳能电池敷金属和互连方法在审
申请号: | 201480018626.3 | 申请日: | 2014-01-30 |
公开(公告)号: | CN105074938A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 斯图尔特·罗斯·文哈姆;马修·布鲁斯·爱德华兹;艾利森·琼·雷诺;萧佩杰;布迪·桑托索·特亚赫约诺 | 申请(专利权)人: | 新南创新私人有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/068;H01L31/18;C25D3/60;C25D5/10;C25D5/50;C25D5/56;C25D7/12 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;陈鹏 |
地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | 一种太阳能电池与在太阳能电池上形成接触结构的方法,该太阳能电池具有p-n结形成在第一掺杂剂极性的第一半导体区域和与第一掺杂剂极性相反的第二掺杂剂极性的第二半导体区域之间。该方法包括:在太阳能电池的表面上形成多个接触点,据此,接触点提供至第一半导体区域的电连接;并且将多个导电电线定位在太阳能电池之上,以与接触点进行电连接。接触点是暴露的硅表面或者在其上形成金属垫的硅表面。金属垫可包括低熔化温度金属的电镀层和/或可以具有小于5微米的厚度。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 金属 互连 方法 | ||
【主权项】:
一种在太阳能电池上形成接触结构的方法,所述太阳能电池具有p‑n结形成在第一掺杂剂极性的第一半导体区域和与所述第一掺杂剂极性相反的第二掺杂剂极性的第二半导体区域之间,所述方法包括:将包含具有小于150℃的熔化温度的低熔化温度金属的金属垫电镀在位于所述太阳能电池的暴露的半导体表面上的多个点上,以形多个第一接触点,据此,所述第一接触点提供与所述第一半导体区域的电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的