[发明专利]具有拉长触点的MOS晶体管结构

摘要

具有位于第一方向的纵向轴线的拉长金属触点(192)被形成为电连接到具有位于第一方向的纵向轴线的拉长源极区(120V1，120V2)和漏极区(122V1，122V2)，以及具有位于第二方向的纵向轴线的拉长金属触点(194)被形成为电连接到具有位于第二方向的纵向轴线的拉长源极区(120H1，120H2)和漏极区(122H1，122H2)，其中，所述第二方向正交于所述第一方向。

主权项

1.一种形成半导体结构的方法，其包括：形成接触并位于介电层上方的硬掩膜，所述介电层具有顶部表面；蚀刻所述硬掩膜以形成第一拉长开口和第二拉长开口，所述第一拉长开口具有底部表面以及位于第一方向的纵向轴线，所述底部表面位于所述介电层的所述顶部表面的上方并与所述介电层的所述顶部表面隔开，所述第二拉长开口具有底部表面以及位于第二方向的纵向轴线，所述底部表面位于所述介电层的所述顶部表面上方并与所述介电层的所述顶部表面隔开，所述第二方向与所述第一方向正交；以及在已经形成所述第一拉长开口和所述第二拉长开口后，蚀刻所述硬掩膜以形成第三拉长开口和第四拉长开口，所述第三拉长开口暴露在所述介电层的所述顶部表面上的第一区域并且具有位于所述第一方向的纵向轴线，所述第四拉长开口暴露在所述介电层的所述顶部表面上的第二区域并且具有位于所述第二方向的纵向轴线。