[发明专利]具有拉长触点的MOS晶体管结构

说明书

具有位于第一方向的纵向轴线的拉长金属触点(192)被形成为电连接到具有位于第一方向的纵向轴线的拉长源极区(120V1，120V2)和漏极区(122V1，122V2)，以及具有位于第二方向的纵向轴线的拉长金属触点(194)被形成为电连接到具有位于第二方向的纵向轴线的拉长源极区(120H1，120H2)和漏极区(122H1，122H2)，其中，所述第二方向正交于所述第一方向。

技术领域

本发明涉及具有拉长触点的MOS晶体管结构和它们的制造。

背景技术

金属氧化物半导体(MOS)晶体管是可以作为n沟道(NMOS)器件或p沟道(PMOS)器件来实现的公知半导体器件。MOS晶体管具有空间隔开的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区通过沟道隔开，并且栅极位于沟道上面。栅极通过栅极介电层与该沟道隔离。

金属栅极MOS晶体管是利用金属栅极和高k栅极介电层的一类MOS晶体管。电流生成方法例如通过在20nm及20nm以下将源极区和漏极区、沟道、栅极介电层和栅极形成为拉长(elongated)结构来制造金属栅极MOS晶体管。

金属栅极MOS晶体管连接到金属互连结构，该金属互连结构与MOS晶体管一起电连接以形成电路。金属互连结构包括金属径迹层，各金属径迹层通过隔离材料层彼此电隔离，并且延伸穿过隔离材料层的金属通孔电连接相邻的金属径迹层。

金属互连结构也包括延伸穿过隔离材料底层的金属触点，以电连接到MOS晶体管的源极区和漏极区。金属触点在金属触点开口中形成，金属触点开口延伸穿过隔离材料的底层以暴露源极区和漏极区。

通常，金属触点通过在隔离材料的底层上形成图案化硬掩膜来制造。图案化硬掩膜具有位于源极区和漏极区上方的若干方形开口。一旦已形成图案化硬掩膜，底部隔离层被蚀刻。

蚀刻形成暴露源极区的源极金属触点开口以及暴露漏极区的漏极金属触点开口。由于图案化硬掩膜中的方形开口，源极金属触点开口和漏极金属触点开口是方形的。随后图案化硬掩膜被去除。

此后，硅化物层在暴露的源极区和漏极区上形成，跟着形成位于源极和漏极金属触点开口中的金属触点，并接触源极和漏极硅化物层以及底部隔离层。由于方形的源极和漏极金属触点开口，金属触点是方形的。

发明内容

提供具有拉长触点的MOS晶体管结构及其制造的方法。

在公开的实施例中，半导体结构被形成有具有位于第一方向上的纵向轴线的拉长金属触点以及具有位于第二正交方向的拉长金属触点。形成接触并位于介电层上方的硬掩膜。介电层具有顶部表面。硬掩膜被蚀刻以形成第一拉长开口和第二拉长开口。第一拉长开口具有位于介电层顶部表面上方并与介电层顶部表面隔开的底部表面以及位于第一方向的纵向轴线。第二拉长开口具有位于介电层的顶部表面上方并与介电层的顶部表面隔开的底部表面以及位于第二方向的纵向轴线。第二方向基本(substantially)正交于第一方向。在已经形成第一拉长开口和第二拉长开口后，硬掩膜被蚀刻以形成第三拉长开口和第四拉长开口。第三拉长开口暴露在介电层顶部表面上的第一区域并具有位于第一方向的纵向轴线。第四拉长开口暴露在介电层顶部表面上的第二区域并具有位于第二方向的纵向轴线。