[发明专利]用于卤化物驱气的处理系统及方法在审
申请号: | 201480018007.4 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN105103266A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 王安川;X·陈;Z·李;H·哈玛纳;Z·陈;C-M·徐;J·黄;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;S·文卡特拉马;R·撒库尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正,该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。 | ||
搜索关键词: | 用于 卤化物 处理 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理系统,所述基板处理系统包含:数个固持腔室;数个装载腔室,所述数个装载腔室经配置以接收基板至真空环境中;界面段,所述界面段具备至少两个界面转移装置,所述界面转移装置经配置以在所述数个固持腔室与所述数个装载腔室之间输送基板,所述数个固持腔室在所述界面段的第一位置处与所述界面段耦接,所述数个装载腔室在所述界面段的第二位置处与所述界面段耦接,所述界面段的第二位置与所述数个固持腔室相对;处置腔室,所述处置腔室定位为与所述装载腔室中的至少一者垂直对齐,且与所述数个装载腔室中的至少一者耦接;数个处理腔室;及工艺转移装置,所述工艺转移装置经配置以在所述数个装载腔室中的任一者与所述数个处理腔室中的任一者之间输送基板,同时将所述基板维持在真空条件下,其中所述工艺转移装置可进一步经配置以垂直于所述处置腔室输送基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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