[发明专利]用于卤化物驱气的处理系统及方法

权利要求书

1.一种基板处理系统，所述基板处理系统包含：

数个固持腔室；

数个装载腔室，所述数个装载腔室经配置以接收基板至真空环境中；

界面段，所述界面段具备至少两个界面转移装置，所述界面转移装置经配置以在所述数个固持腔室与所述数个装载腔室之间输送基板，所述数个固持腔室在所述界面段的第一位置处与所述界面段耦接，所述数个装载腔室在所述界面段的第二位置处与所述界面段耦接，所述界面段的第二位置与所述数个固持腔室相对；

处置腔室，所述处置腔室定位为与所述装载腔室中的至少一者垂直对齐，且与所述数个装载腔室中的至少一者耦接；

数个处理腔室；及

工艺转移装置，所述工艺转移装置经配置以在所述数个装载腔室中的任一者与所述数个处理腔室中的任一者之间输送基板，同时将所述基板维持在真空条件下，其中所述工艺转移装置可进一步经配置以垂直于所述处置腔室输送基板。

2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述装载腔室及所述处理腔室全部处于所述基板处理系统的第一海拔平面上，且其中所述处置腔室处于所述基板处理系统的第一海拔平面之上的所述基板处理系统的第二海拔平面上。

3.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述转移装置经配置以维持真空条件同时垂直于处置腔室输送基板。

4.如权利要求1所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含数个处置腔室，其中每个处置腔室与所述数个装载腔室中的一者垂直对齐且耦接。

5.如权利要求4所述的基板处理系统，其中所述系统包括两个装载腔室及两个处置腔室，其中所述装载腔室相互水平安置。

6.如权利要求5所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含处置等离子体产生装置，所述处置等离子体产生装置与两个所述处置腔室分开并耦接。

7.如权利要求5所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含两个处置等离子体产生装置，其中所述处置等离子体产生装置中的一者与所述处置腔室中的一者耦接，所述处置等离子体产生装置中的第二者与所述处置腔室中的第二者耦接。

8.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述固持腔室包含至少一个入口端口并且经配置以经由所述入口端口接收流体以及引导所述流体穿过所述固持腔室并进入所述界面段。

9.如权利要求8所述的基板处理系统，其中所述固持腔室包含至少一个内部扩散器，所述内部扩散器经配置以引导所述接收的流体遍及所述固持腔室。

10.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述装载腔室包含至少一个加热装置，所述加热装置经配置以加热所述装载腔室达约300℃。

11.如权利要求1所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含湿式蚀刻腔室，所述湿式蚀刻腔室在所述界面段的第三位置处与所述界面段耦接，所述界面段的所述第三位置与所述界面段的所述第一位置及所述第二位置相邻。

12.如权利要求11所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含储存腔室，所述储存腔室在界面段的第四位置处与所述界面段耦接，所述第四位置与所述第三位置相对。

13.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述处置腔室包含经配置以在所述处置腔室内产生直接等离子体的组件。

14.如权利要求13所述的基板处理系统，其中所述直接等离子体包含电容耦合等离子体。

15.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述处置腔室包含经配置以在所述处置腔室内产生紫外光处置的组件。

16.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述数个处理腔室耦接成所述基板处理系统内的成对串联处理腔室。

17.如权利要求16所述的基板处理系统，其中所述数个处理腔室包含至少两对串联处理腔室，其中所述至少两对串联处理腔室中的第一对经配置以施行氧化硅蚀刻操作，所述至少两对串联处理腔室中的第二对经配置以施行硅蚀刻操作。