[发明专利]介电陶瓷组合物以及介电元件

摘要

本发明的目的在于提供一种5V/μm的DC偏置变化率非常小以至小到‑15％以内，并且具有1000以上的比较高的相对介电常数的介电陶瓷组合物以及使用了该介电陶瓷组合物的介电元件。本发明所涉及的介电陶瓷组合物为由下述通式(1)所表示的复合氧化物，{[(BisNat)a(BiuKv)bBac]1‑dAd}xTi1‑dNbdO3(1)[在通式(1)中，A表示选自Li、Na、K中的至少一种元素。a、b、c、d、s、t、u、v以及x分别是满足下述关系式的数字。]0.10≤a＜0.950.00＜b≤0.850.05≤c≤0.70a+b+c＝10.10≤d≤0.500.90≤s+u≤1.000.45≤t≤0.500.45≤v≤0.500.95≤x≤1.05。

主权项

一种介电陶瓷组合物，其特征在于：具有下述通式(1)的组成，{[(BisNat)a(BiuKv)bBac]1‑dAd}xTi1‑dNbdO3    (1)在通式(1)中，A表示选自Li、Na、K中的任意一种元素，a、b、c、d、s、t、u、v以及x分别是满足下述式子的数，0.10≤a＜0.95，0.00＜b≤0.85，0.05≤c≤0.70，a+b+c＝1，0.10≤d≤0.50，0.90≤s+u≤1.00，t＝0.50，v＝0.50，0.95≤x≤1.05。