[发明专利]具有增强速度的写辅助存储器有效
| 申请号： | 201480013370.7 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105144295B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | P·金;M·H·阿布-拉玛;F·阿迈德 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C7/12;G11C5/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 杨丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种写辅助存储器包括一种预充电辅助电路，该预充电辅助电路通过耦合来自经位线复用的存储器单元群中的其余未被访问的存储器单元的电源引线的电荷来在写辅助时段之后辅助经位线复用的存储器单元群中的被访问的存储器单元的电源引线上的电源电压的预充电。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 速度 辅助 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：多个SRAM单元；对应于所述多个SRAM单元的多个电源引线，每一SRAM单元耦合至其对应的电源引线以接收功率；对应于所述多个电源引线的多个写辅助电路，其中每一电源引线通过其对应的写辅助电路耦合至一电源节点，每一写辅助电路被配置成在该对应的SRAM单元上的写操作期间降低其对应的电源引线上的电源电压；以及包括多个预充电开关的预充电辅助电路，所述多个预充电开关被配置成将所述多个电源引线耦合在一起以在每一写操作之后共享电荷。
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