[发明专利]半导体晶片保护用粘接带

摘要

本发明提供一种即使在气体蚀刻工序或等离子体切割工序中暴露于高热下，也不会有与夹盘台熔接或过度地收缩的情况，并且具有耐热性和耐热收缩性的半导体晶片保护用粘接带。本发明使用如下的半导体晶片保护用粘接带(1)，其特征在于，具有基材膜(3)和形成于基材膜(3)的一面的粘接剂层(5)，基材膜(3)在未形成粘接剂层(5)的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜层(7)，流延膜层(7)的粘性力在200℃为100kPa以下。另外，也可以使用基材膜仅由流延膜层(7)构成的半导体晶片保护用粘接带(1a)。

主权项

一种半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，具有基材膜和形成于所述基材膜的一面的粘接剂层，所述基材膜在未形成所述粘接剂层的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜层，在将使直径3.0mm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载荷设为980mN、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述流延膜层的粘性力的峰值在200℃为100kPa以下。