[发明专利]先进纳米闪速存储器的动态编程技术有效
| 申请号： | 201480005655.6 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104956444B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | H.V.特兰;A.利;T.伍;H.Q.阮 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源(110、111、112、113)中的每个电流源经由多组开关(120‑123、130‑133、140‑143、150‑153)轮流连接到对应的一组位线(160、170、180、190)中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110‑113)的所述晶体管时的工艺变化。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 纳米 存储器 动态 编程 技术 | ||
【主权项】：
一种用于在存储器装置中使用的编程电路，包括：第一位线，所述第一位线耦接到存储器单元阵列并耦接到第一开关和第二开关；以及第二位线，所述第二位线耦接到所述存储器单元阵列并耦接到第三开关和第四开关，其中所述第一开关和所述第三开关耦接到第一电流镜，并且所述第二开关和所述第四开关耦接到第二电流镜；以及控制器，所述控制器被配置为在第一时间间隔期间接通所述第一开关和所述第三开关，以及在第二时间间隔期间接通所述第二开关和所述第四开关，其中在跨越所述第一时间间隔和所述第二时间间隔的第三时间间隔期间，将值编程到至少一些所述存储器单元中。
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