[发明专利]先进纳米闪速存储器的动态编程技术有效
申请号: | 201480005655.6 | 申请日: | 2014-01-14 |
公开(公告)号: | CN104956444B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | H.V.特兰;A.利;T.伍;H.Q.阮 | 申请(专利权)人: | 硅存储技术公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 马红梅,刘春元 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 先进 纳米 存储器 动态 编程 技术 | ||
1.一种用于在存储器装置中使用的编程电路,包括:
第一位线,所述第一位线耦接到存储器单元阵列并耦接到第一开关和第二开关;以及第二位线,所述第二位线耦接到所述存储器单元阵列并耦接到第三开关和第四开关,其中所述第一开关和所述第三开关耦接到第一电流镜,并且所述第二开关和所述第四开关耦接到第二电流镜;以及
控制器,所述控制器被配置为在第一时间间隔期间接通所述第一开关和所述第三开关,以及在第二时间间隔期间接通所述第二开关和所述第四开关,其中在跨越所述第一时间间隔和所述第二时间间隔的第三时间间隔期间,将值编程到至少一些所述存储器单元中。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述存储器单元为闪速存储器单元。
3.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一时间间隔和所述第二时间间隔持续相同的时间。
4.一种对存储器装置编程的方法,包括:
在第一时间间隔期间,通过第一开关将第一位线连接到第一电流镜,以及通过第二开关将第二位线连接到第二电流镜;
在第二时间间隔期间,通过第三开关将所述第一位线连接到所述第二电流镜,以及通过第四开关将所述第二位线连接到所述第一电流镜;
在所述第一时间间隔和所述第二时间间隔期间,将值编程到与所述第一位线相关联的多个存储器单元以及与所述第二位线相关联的多个存储器单元中。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述存储器单元为闪速存储器单元。
6.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一时间间隔和所述第二时间间隔持续相同的时间。
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