[发明专利]薄膜沉积装置与薄膜沉积方法有效
申请号: | 201480002729.0 | 申请日: | 2014-02-03 |
公开(公告)号: | CN104871293B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 黄常洙;李愚嗔;申奇照;车东壹 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨贝贝,臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜沉积装置与薄膜沉积方法。薄膜沉积装置包括腔室,其内部具有预设空间;基板支撑部件,配置于腔室内并且基板配置于其上;以及气体供应部件,包括至少一个用以供应处理气体至基板的供应通道,以及含气体活化单元用以活化处理气体的活化通道。在此,活化通道的底部具有开口部,同时活化通道的上部经密封。本发明的薄膜沉积装置能够改善薄膜品质、避免基板损害且藉由原子层沉积增加产能。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜沉积装置,包括:腔室,具有预设的内部空间;基板支撑部件,配置于所述腔室内并且支撑基板;以及气体供应装置,具有至少一个供应通道及活化通道,所述供应通道用以供应处理气体至所述基板,所述活化通道含有气体活化单元用以活化所述处理气体,其中所述活化通道具有打开的下部与密封的上部,且由所述气体活化单元活化的所述处理气体通过所述活化通道而供应至所述基板上,使所述基板与所述气体供应装置间未活化的所述处理气体活化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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