[发明专利]薄膜沉积装置与薄膜沉积方法有效

专利信息
申请号: 201480002729.0 申请日: 2014-02-03
公开(公告)号: CN104871293B 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 黄常洙;李愚嗔;申奇照;车东壹 申请(专利权)人: TES股份有限公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 杨贝贝,臧建明
地址: 韩国京畿道龙仁市处*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 沉积 装置
【权利要求书】:

1.一种薄膜沉积装置,包括:

腔室,具有预设的内部空间;

基板支撑部件,配置于所述腔室内并且支撑基板;以及

气体供应装置,具有至少一个供应通道及活化通道,所述供应通道用以供应处理气体至所述基板,所述活化通道含有气体活化单元用以活化所述处理气体,

其中所述活化通道具有打开的下部与密封的上部,且由所述气体活化单元活化的所述处理气体通过所述活化通道而供应至所述基板上,使所述基板与所述气体供应装置间未活化的所述处理气体活化。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置与所述基板支撑部件中至少一个进行相对于彼此的相对运动。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述供应通道包括:

至少一个第一供应通道,用以供应来源气体;以及

至少一个第二供应通道,用以供应反应气体,且所述第二供应通道相邻于所述活化通道。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置进一步包括:

处理气体引导部件,用以调整所述处理气体的注入方向。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置,其中所述供应通道包括:

至少一个第一供应通道,用以供应来源气体;以及

至少一个第二供应通道,用以供应反应气体;且

其中,所述处理气体引导部件包括:

至少一个来源气体引导部件,用以调整所述来源气体的注入方向;以及

反应气体引导部件,用以调整所述反应气体的注入方向。

6.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置进一步包括:

排气通道,用以排出所述基板与所述气体供应装置间的所述处理气体。

7.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置包括内部排气通道,对称配置于所述第一供应通道,用以排出残余气体。

8.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置,其中所述第二供应通道对称配置于所述第一供应通道。

9.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置进一步包括:

外部排气通道,配置在所述活化通道的外侧。

10.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述供应通道包括:

至少一个第一供应通道,用以供应来源气体;以及

至少一个第二供应通道,用以供应反应气体;且

其中,所述气体供应装置包括:

内部排气通道,配置在所述第一供应通道的一侧,且所述内部排气通道配置在所述第一供应通道与所述第二供应通道之间。

11.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置不具有任何排出所述第一供应通道的另一侧与所述第二供应通道之间的残余气体的排气部件。

12.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置包括:

外部排气通道,配置于所述第二供应通道的一侧,用以排出残余气体,且所述外部排气通道对称配置于所述第一供应通道。

13.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置进一步包括:

至少一个来源气体引导部件,用以调整所述来源气体的注入方向;以及

反应气体引导部件,用以调整所述反应气体的注入方向。

14.根据权利要求1至13任一项所述的薄膜沉积装置,进一步包括:

附属腔室,具有预设的压力;

来源气体供应部件,用以选择性地供应所述来源气体至所述腔室与所述附属腔室;以及

排气部件,用以分别自所述腔室与所述附属腔室排出所述来源气体。

15.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置,其中所述来源气体供应部件供应所述来源气体至所述附属腔室,直到所述来源气体的进料量达到预设的进料率,进而供应所述来源气体至所述腔室。

16.根据权利要求15所述的薄膜沉积装置,其中当供应所述来源气体至所述附属腔室时,所述基板被负载入或卸载出所述腔室。

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