[发明专利]薄膜沉积装置与薄膜沉积方法有效
申请号: | 201480002729.0 | 申请日: | 2014-02-03 |
公开(公告)号: | CN104871293B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 黄常洙;李愚嗔;申奇照;车东壹 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨贝贝,臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 装置 | ||
1.一种薄膜沉积装置,包括:
腔室,具有预设的内部空间;
基板支撑部件,配置于所述腔室内并且支撑基板;以及
气体供应装置,具有至少一个供应通道及活化通道,所述供应通道用以供应处理气体至所述基板,所述活化通道含有气体活化单元用以活化所述处理气体,
其中所述活化通道具有打开的下部与密封的上部,且由所述气体活化单元活化的所述处理气体通过所述活化通道而供应至所述基板上,使所述基板与所述气体供应装置间未活化的所述处理气体活化。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置与所述基板支撑部件中至少一个进行相对于彼此的相对运动。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述供应通道包括:
至少一个第一供应通道,用以供应来源气体;以及
至少一个第二供应通道,用以供应反应气体,且所述第二供应通道相邻于所述活化通道。
4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置进一步包括:
处理气体引导部件,用以调整所述处理气体的注入方向。
5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置,其中所述供应通道包括:
至少一个第一供应通道,用以供应来源气体;以及
至少一个第二供应通道,用以供应反应气体;且
其中,所述处理气体引导部件包括:
至少一个来源气体引导部件,用以调整所述来源气体的注入方向;以及
反应气体引导部件,用以调整所述反应气体的注入方向。
6.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置进一步包括:
排气通道,用以排出所述基板与所述气体供应装置间的所述处理气体。
7.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置包括内部排气通道,对称配置于所述第一供应通道,用以排出残余气体。
8.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置,其中所述第二供应通道对称配置于所述第一供应通道。
9.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置进一步包括:
外部排气通道,配置在所述活化通道的外侧。
10.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其中所述供应通道包括:
至少一个第一供应通道,用以供应来源气体;以及
至少一个第二供应通道,用以供应反应气体;且
其中,所述气体供应装置包括:
内部排气通道,配置在所述第一供应通道的一侧,且所述内部排气通道配置在所述第一供应通道与所述第二供应通道之间。
11.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置不具有任何排出所述第一供应通道的另一侧与所述第二供应通道之间的残余气体的排气部件。
12.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置包括:
外部排气通道,配置于所述第二供应通道的一侧,用以排出残余气体,且所述外部排气通道对称配置于所述第一供应通道。
13.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置,其中所述气体供应装置进一步包括:
至少一个来源气体引导部件,用以调整所述来源气体的注入方向;以及
反应气体引导部件,用以调整所述反应气体的注入方向。
14.根据权利要求1至13任一项所述的薄膜沉积装置,进一步包括:
附属腔室,具有预设的压力;
来源气体供应部件,用以选择性地供应所述来源气体至所述腔室与所述附属腔室;以及
排气部件,用以分别自所述腔室与所述附属腔室排出所述来源气体。
15.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置,其中所述来源气体供应部件供应所述来源气体至所述附属腔室,直到所述来源气体的进料量达到预设的进料率,进而供应所述来源气体至所述腔室。
16.根据权利要求15所述的薄膜沉积装置,其中当供应所述来源气体至所述附属腔室时,所述基板被负载入或卸载出所述腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造