[发明专利]薄膜半导体基板、发光面板以及薄膜半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201480001305.2 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104350533B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 钟之江有宣;森田清之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;H01L21/336;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/22;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 张谟煜,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 发光 面板 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜半导体基板，具备：基板；第1半导体元件及第2半导体元件，形成在所述基板的上方；以及数据线，形成在所述基板的上方，所述第1半导体元件包括：第1半导体层；第1栅极绝缘膜，位于所述第1半导体层的上方；第1栅电极，位于所述第1栅极绝缘膜的上方；第1源电极及第1漏电极，与所述第1半导体层的一部分连接；以及第1保护层，位于所述第1栅电极的上方，所述第2半导体元件包括：第2半导体层；第2栅极绝缘膜，位于所述第2半导体层的上方；第2栅电极，位于所述第2栅极绝缘膜的上方；第2源电极及第2漏电极，与所述第2半导体层的一部分连接；以及第2保护层，位于所述第2栅电极的上方，所述第1源电极及所述第1漏电极中的一方的电极通过所述第2栅电极延伸而构成，所述数据线与所述第1源电极及所述第1漏电极中的另一方的电极连接，所述第2保护层从所述第2栅电极的上方连续地形成到所述第1源电极及所述第1漏电极中的所述一方的电极的上方，所述第2栅电极的厚度比所述数据线的厚度薄。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480001305.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
