[发明专利]薄膜半导体基板、发光面板以及薄膜半导体基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜半导体基板、发光面板以及薄膜半导体基板的制造方法。

背景技术

以往，称作薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的薄膜半导体装置用于在液晶显示装置、有机EL显示装置等有源矩阵方式的显示装置、或数码相机等固体摄像装置(固态摄像装置)。

在有源矩阵方式的显示装置(显示面板)中，TFT被用作选择像素的开关晶体管、驱动像素的驱动晶体管或者面板外部的驱动器的晶体管等。

例如，具有利用了有机材料的EL(Electro Luminescence：电致发光)的有机EL元件的有机EL显示器，与电压驱动型的液晶显示器不同，是电流驱动型的显示器设备，因此，正在加紧开发具有优异性能的TFT。

TFT是在基板上形成栅电极、半导体层(沟道层)、源电极及漏电极而得到的，在沟道层中通常使用非晶硅薄膜或多晶硅薄膜。

使用了非晶硅薄膜作为沟道层的非晶硅TFT，从易于制造的观点来看，通常是在沟道层之下存在栅电极的所谓底栅构造。

另一方面，使用了多晶硅薄膜作为沟道层的多晶硅TFT，为了最大限度地发挥其性能，通常是在沟道层之上存在栅电极的所谓顶栅构造。

最近，正在大力开发在沟道层中使用了以IGZO(In-Ga-Zn-O)为代表的氧化物半导体的TFT。作为使用了氧化物半导体的TFT的构造，通常是与以往的非晶硅TFT相同的底栅构造，但也正在研究开发能够削减栅电极与源电极或漏电极之间的寄生电容的、更高性能的顶栅构造(例如，专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2009-278115号公报

专利文献2：日本特开2011-228622号公报

发明内容

发明要解决的问题

在形成有TFT的薄膜半导体基板，形成有与TFT连接的布线。这样的布线优选为低电阻，希望厚膜化。另外，在TFT的上方形成例如EL层等上部层。该情况下，上部层优选是平坦的。然而，难以兼顾布线的低电阻化和上部层的平坦化。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种能够既使与TFT连接的布线低电阻化又使得容易确保TFT上方的上部层的平坦性的薄膜半导体基板、发光面板以及薄膜半导体基板的制造方法。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明的薄膜半导体装置的一个技术方案的特征在于，具备：基板；第1半导体元件及第2半导体元件，其形成在所述基板的上方；以及数据线，其形成在所述基板的上方，所述第1半导体元件包括：第1半导体层；第1栅极绝缘膜，其位于所述第1半导体层的上方；第1栅电极，其位于所述第1栅极绝缘膜的上方；第1源电极及第1漏电极，其与所述第1半导体层的一部分连接；以及第1保护层，其位于所述第1栅电极的上方，所述第2半导体元件包括：第2半导体层；第2栅极绝缘膜，其位于所述第2半导体层的上方；第2栅电极，其位于所述第2栅极绝缘膜的上方；第2源电极及第2漏电极，其与所述第2半导体层的一部分连接；以及第2保护层，其位于所述第2栅电极的上方，所述第1源电极及所述第1漏电极中的一方的电极是所述第2栅电极延伸而构成的，所述数据线与所述第1源电极及所述第1漏电极中的另一方的电极连接，所述第2保护层从所述第2栅电极的上方连续地形成到所述第1源电极及所述第1漏电极中的所述一个电极的上方，所述第2栅电极的厚度比所述数据线的厚度薄。

发明效果

根据本发明，能够既使布线低电阻化又容易确保TFT上方的上部层的平坦性。

附图说明

图1是表示本发明实施方式1的薄膜半导体阵列基板的概略构成的俯视图。

图2是本发明实施方式1的有机EL显示器的局部剖切立体图。

图3是表示本发明实施方式1的薄膜半导体阵列基板中的像素的电路构成的图。

图4是表示本发明实施方式1的薄膜半导体阵列基板中的一像素的布局的概略图。

图5A是沿图4的A-A’线的本发明实施方式1的薄膜半导体阵列基板的剖面图。

图5B是沿图4的B-B’线的本发明实施方式1的薄膜半导体阵列基板的剖面图。

图5C是沿图4的C-C’线的本发明实施方式1的薄膜半导体阵列基板的剖面图。

图5D是沿图4的D-D’线的本发明实施方式1的薄膜半导体阵列基板的剖面图。

图6是表示本发明实施方式1的有机EL显示器的构成的剖面图。