[实用新型]一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥

摘要

本实用新型提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本实用新型具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。

主权项

一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，包括基底层[1]、绝缘层[2]、半导体桥层[4]、分立的焊锡层[5]、分立的电极层[6]，其特征在于：还包括吸热聚能反射层[3]，所述基底层[1]、绝缘层[2]、吸热聚能反射层[3]、半导体桥层[4]、分立的焊锡层[5]、分立的电极层[6]自下而上顺序叠加；所述基底层[1]、绝缘层[2]、吸热聚能反射层[3]形状均为矩形、尺寸相同，所述半导体桥层[4]中间窄两端宽，在半导体桥层[4]两端宽的部分通过所述分立的焊锡层[5]均匀沾附所述分立的电极层[6]；所述分立的焊锡层[5]形状随机，厚度要使分立的电极层[6]与半导体桥层[4]平整的键合，且不遮盖半导体桥层[4]中间窄的部分。