[实用新型]一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥

权利要求书

1.一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，包括基底层[1]、绝缘层[2]、半导体桥层[4]、分立的焊锡层[5]、分立的电极层[6]，其特征在于：还包括吸热聚能反射层[3]，所述基底层[1]、绝缘层[2]、吸热聚能反射层[3]、半导体桥层[4]、分立的焊锡层[5]、分立的电极层[6]自下而上顺序叠加；所述基底层[1]、绝缘层[2]、吸热聚能反射层[3]形状均为矩形、尺寸相同，所述半导体桥层[4]中间窄两端宽，在半导体桥层[4]两端宽的部分通过所述分立的焊锡层[5]均匀沾附所述分立的电极层[6]；所述分立的焊锡层[5]形状随机，厚度要使分立的电极层[6]与半导体桥层[4]平整的键合，且不遮盖半导体桥层[4]中间窄的部分。

2.根据权利要求1所述的一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，其特征在于：所述吸热聚能反射层[3]厚度为1~3um。

3.根据权利要求1所述的一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，其特征在于：所述吸热聚能反射层[3]选择p型掺杂或n型掺杂。

4.根据权利要求1所述的一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，其特征在于：所述半导体桥层[4]选择p型掺杂或n型掺杂。

5.根据权利要求1所述的一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，其特征在于：所述电极层[6]材质为铂、钛、铬、金、铜、或铝。

6.根据权利要求1所述的一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，其特征在于：所述电极层[6]形状为圆形、正方形、长方形或三角形。

7.根据权利要求1所述的一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，其特征在于：所述半导体桥层[4]采用低压化学气相沉积法和光刻法制得。