[实用新型]一种发光二极管结构有效
| 申请号： | 201420755635.8 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN204257687U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;刘传桂;郑建森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种发光二极管结构，通过N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构，从而增加发光面积，改变全反射临界角，减少了发生全反射现象，以达到提升发光二极管的光萃取效率；通过在表面粗糙的凹槽结构上形成N电极，可以增加电极与凹槽结构的接触面积，从而增加电极粘附性，提高发光二极管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的量子阱层组成的发光外延层，以及位于第二半导体层上的P电极、位于第一半导体层上的N电极，其特征在于：所述N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构。
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