[实用新型]具有电流阻挡结构的垂直发光二极管有效

专利信息
申请号: 201420752427.2 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN204216067U 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 康学军;徐亮 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 528226 广东省佛山市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型实施例公开了一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管,包括:位于底层的金属衬底;位于金属衬底表面的种子层;位于种子层表面的反射层;位于反射层表面的多个第一电流阻挡结构;位于第一电流阻挡结构背离反射层一侧的外延层,外延层完全覆盖第一电流阻挡结构和反射层;位于外延层表面的电极焊条,电极焊条位于第一电流阻挡结构沿金属衬底至第一电流阻挡结构方向的正上方;位于外延层表面的第二电流阻挡结构,第二电流阻挡结构与第一电流阻挡结构在金属衬底上的投影不交叠;位于第二电流阻挡结构表面的电极焊盘。加强了焊盘区域对应的外延层部分的结构强度,在后续封装打线时,电极焊盘对应的外延层不易断裂,提高了封装良率。
搜索关键词: 具有 电流 阻挡 结构 垂直 发光二极管
【主权项】:
一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管,其特征在于,包括:位于底层的金属衬底;位于所述金属衬底表面的种子层;位于所述种子层表面的反射层;位于所述反射层表面的多个第一电流阻挡结构;位于所述第一电流阻挡结构背离所述反射层一侧的外延层,所述外延层完全覆盖所述第一电流阻挡结构和所述反射层;位于所述外延层表面的电极焊条,所述电极焊条位于所述第一电流阻挡结构沿所述金属衬底至所述第一电流阻挡结构方向的正上方;位于所述外延层表面的第二电流阻挡结构,所述第二电流阻挡结构与所述第一电流阻挡结构在所述金属衬底上的投影不交叠;位于所述第二电流阻挡结构表面的电极焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司,未经佛山市国星半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420752427.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top