[实用新型]具有电流阻挡结构的垂直发光二极管

权利要求书

1.一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管，其特征在于，包括：

位于底层的金属衬底；

位于所述金属衬底表面的种子层；

位于所述种子层表面的反射层；

位于所述反射层表面的多个第一电流阻挡结构；

位于所述第一电流阻挡结构背离所述反射层一侧的外延层，所述外延层完全覆盖所述第一电流阻挡结构和所述反射层；

位于所述外延层表面的电极焊条，所述电极焊条位于所述第一电流阻挡结构沿所述金属衬底至所述第一电流阻挡结构方向的正上方；

位于所述外延层表面的第二电流阻挡结构，所述第二电流阻挡结构与所述第一电流阻挡结构在所述金属衬底上的投影不交叠；

位于所述第二电流阻挡结构表面的电极焊盘。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电流阻挡结构与所述电极焊条在所述金属衬底上的投影完全重合。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电流阻挡结构与所述电极焊盘在所述金属衬底上的投影完全重合。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层包括：

位于所述第一电流阻挡结构背离所述反射层一侧的第一氮化镓层，所述第一氮化镓层完全覆盖所述第一电流阻挡结构和所述反射层；

位于所述第一氮化镓层表面的有源层；

位于所述有源层表面的第二氮化镓层；

其中，所述第一氮化镓层与所述第二氮化镓层的掺杂类型不同。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一氮化镓层为P型氮化镓层，所述第二氮化镓层为N型氮化镓层；或，所述第一氮化镓层为N型氮化镓层，所述第二氮化镓层为P型氮化镓层。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

位于所述反射层与所述种子层之间的扩散阻挡层。