[实用新型]用于太阳能电池片的氮化硅膜制备装置有效
申请号: | 201420731449.0 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN204211819U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 陈五奎;李军;徐文州;陈磊;冯加保 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种能够提高氮化硅膜均匀性且能够使真空沉积室内的温度保持在一个稳定的范围内的用于太阳能电池片的氮化硅膜制备装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室,真空沉积室内设有石墨舟,真空沉积室上设有进气口与排气口,所述进气口上连接有进气管,所述真空沉积室上设置有用于打开或关闭炉门的开关装置,所述进气管与进气口之间设置有气体混合装置,使得三种制程气体充分混合均匀后,再通入真空沉积室内进行反应,可以使真空沉积室内不同地方的硅片表面形成的氮化硅膜均匀性大大提高,加热装置可以对制程气体进行加热,可以保证炉体内的温度保持在一个稳定的范围内。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 氮化 制备 装置 | ||
【主权项】:
用于太阳能电池片的氮化硅膜制备装置,包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2),真空沉积室(2)内设有石墨舟(3),硅片放置于石墨舟(3)上,真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5),所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气管(6),所述排气口(5)上连接有排放管(8),排放管(8)末端连接有真空泵(9),真空泵(9)的进口与排放管(8)的出口相连,真空泵(9)的出口连接有尾排管(10),所述真空沉积室(2)上设置有用于打开或关闭炉门(1)的开关装置(11),其特征在于:所述进气管(6)与进气口(4)之间设置有气体混合装置(12),所述气体混合装置(12)包括芯体(121)、壳体(122),芯体(121)设置在壳体(122)内,芯体(121)表面开有螺旋槽(123),所述螺旋槽(123)的内壁与壳体(122)的内壁围成封闭的螺旋式气体通道,所述螺旋式气体通道的一端与进气管(6)相连,另一端与真空沉积室(2)上设置有的进气口(4)相连,所述壳体(122)的外表面设置有加热装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的