[实用新型]氮化硅膜制备装置有效
申请号: | 201420726473.5 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN204211822U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 陈五奎;李军;徐文州;陈磊;上官新龙 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513;C23C16/34 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种能够降低生产成本同时也能够避免铜电极被撞歪的氮化硅膜制备装置。该装置将炉门固定在托杆上,在需要打开炉门时,只需启动驱动装置使滑动块沿滑竿移动,滑块在移动的同时带动托架移动进而带动托杆移动,由于炉门固定在托杆上,托杆在移动时会打开炉门,由于铜电极设置在炉门的内侧中央,电极插孔设置在石英舟朝向炉门的一端,因而,在放置石英舟时,便可以调整石英舟放置的位置使铜电极准确的插入电极插孔内,有效避免了因盲目对准导致铜电极被撞歪的情况发生,另外,该装置的炉门开闭都是通过托杆的移动完成,不容易损坏驱动装置,可以大大降低生产成本。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。 | ||
搜索关键词: | 氮化 制备 装置 | ||
【主权项】:
氮化硅膜制备装置,包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2),真空沉积室(2)内设有石墨舟(3),硅片放置于石墨舟(3)上,真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5),所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气管(6),所述排气口(5)上连接有排放管(8),排放管(8)末端连接有真空泵(9),真空泵(9)的进口与排放管(8)的出口相连,真空泵(9)的出口连接有尾排管(10),其特征在于:所述石墨舟(3)下方设置有用于承载石墨舟(3)的托杆(11),所述托杆(11)朝向炉门(1)的一端穿过炉门(1),所述炉门(1)固定在托杆(11)上,所述炉门(1)内侧的中央固定有铜电极(21),所述石墨舟(3)朝向炉门(1)的一端设置有电极插孔(22),所述铜电极(21)的位置与电极插孔(22)的位置相对应,所述托杆(11)伸出炉门(1)的一端固定有托架(23),所述托架(23)通过连接杆固定在滑动块(24)上,所述滑动块(24)固定在滑竿(25)上,所述滑动块(24)、滑竿(25)均位于炉门(1)边缘的外侧,所述滑竿(25)的轴线与真空沉积室(2)轴线互相平行,所述滑动块(24)上连接有使滑动块(24)沿滑竿(25)移动的驱动装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的