[实用新型]一种氮化硅膜制备装置有效
申请号: | 201420724617.3 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN204211818U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 陈五奎;李军;徐文州;陈磊;冯加保 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种能够避免尾排管着火的氮化硅膜制备装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室,真空沉积室内设有石墨舟,硅片放置于石墨舟上,真空沉积室上设有进气口与排气口,所述排气口上连接有排放管,排放管末端连接有真空泵,真空泵的出口连接有尾排管,所述真空沉积室上设置有用于打开或关闭炉门的开关装置,所述真空泵的出口与尾排管之间设置有硅烷燃烧室。通过在真空泵的出口与尾排管之间设置硅烷燃烧室,使得尾气在硅烷燃烧室内将其含有的硅烷燃烧殆尽后再进入尾排管,进入尾排管的尾气由于不含有硅烷也就不会发生自燃,避免了尾排管经常着火的危险情况发生,安全性大大提高。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 制备 装置 | ||
【主权项】:
一种氮化硅膜制备装置,包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2),真空沉积室(2)内设有石墨舟(3),硅片放置于石墨舟(3)上,真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5),所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气管(6),所述排气口(5)上连接有排放管(8),排放管(8)末端连接有真空泵(9),真空泵(9)的进口与排放管(8)的出口相连,真空泵(9)的出口连接有尾排管(10),所述真空沉积室(2)上设置有用于打开或关闭炉门(1)的开关装置(11),其特征在于:所述真空泵(9)的出口与尾排管(10)之间设置有硅烷燃烧室(13)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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