[实用新型]一种氧化物半导体薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201420677065.5 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN204155937U | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘玉成;单奇;陈杰;高胜;袁波 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L51/10;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基体、源极、有源层、漏极和栅极，所述源极、有源层和漏极沿垂直于基体的方向顺次叠加后竖直设置于所述基体的上，所述栅极呈环绕状设置于所述的漏极和有源层的外侧，所述栅极与所述的源极、有源层、漏极之间均设有栅绝缘层，所述栅极和栅绝缘层的外侧面均设有保护层，所述漏极的上方设有贯穿所述栅绝缘层和保护层的连接通孔。本实用新型采用垂直沟道结构，可减少晶体管的占用面积，能够实现单位平面面积内的导通能力，并能够对晶体管形成更好的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基体、源极、有源层、漏极和栅极，其特征在于，所述源极、有源层和漏极沿垂直于基体的方向顺次叠加后竖直设置于所述基体上，所述栅极呈环绕状设置于所述的漏极和有源层的外侧，所述栅极与所述的源极、有源层、漏极之间均设有栅绝缘层，所述栅极和栅绝缘层的外侧面均设有保护层，所述漏极的上方设有贯穿所述栅绝缘层和保护层的连接通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司，未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420677065.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效化灰机
- 下一篇：一种高透型灌浆式防火玻璃
- 同类专利
- 专利分类
