[实用新型]一种以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201420631749.1 申请日: 2014-10-28
公开(公告)号: CN204167368U 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 梁禄生;陈伟中;王保增;蔡龙华;陈凯武;蔡耀斌;白华;田清勇;范斌 申请(专利权)人: 厦门惟华光能有限公司
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 361102 福建省厦门市翔*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池,涉及太阳能电池。从下至上依次设有铟锡氧化物玻璃衬底、ZnO电子传输层、CH3NH3PbI3层、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层和金属背电极层;金属背电极层为Au背电极层或Ag背电极层。铟锡氧化物玻璃衬底的厚度可为100~150nm。所述ZnO电子传输层的厚度可为20~120nm。CH3NH3PbI3层的厚度可为20~120nm。2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层的厚度可为40~60nm。金属背电极层的厚度可为60~150nm。
搜索关键词: 一种 溅射 zno 电子 传输 钙钛矿型 太阳能电池
【主权项】:
一种以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池,其特征在于从下至上依次设有铟锡氧化物玻璃衬底、ZnO电子传输层、CH3NH3PbI3层、2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴空穴传输层和金属背电极层;所述金属背电极层为Au背电极层或Ag背电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门惟华光能有限公司,未经厦门惟华光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420631749.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top