[实用新型]一种以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池有效
申请号: | 201420631749.1 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN204167368U | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 梁禄生;陈伟中;王保增;蔡龙华;陈凯武;蔡耀斌;白华;田清勇;范斌 | 申请(专利权)人: | 厦门惟华光能有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361102 福建省厦门市翔*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 溅射 zno 电子 传输 钙钛矿型 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,特别是涉及一种以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池。
背景技术
随着全球经济的发展,能源消耗越来越多,其中像石油资源越来越少,能源问题必将会成为今后的一个重大问题。太阳能为可再生资源,且具有取之不尽用之不竭的特点,因此太阳能电池的发展具有重要的意义。但是现今的太阳能电池要不光电转换效率低,要不成本太高。目前,硅太阳能电池具有较高的效率,但是在制备过程中需高温、高真空,成本非常高。有机聚合物太阳能电池具有成本较低、无毒、制备容易、可大面积柔性制造等特点,但其光电转换效率还较低。
钙钛矿型太阳能电池,为光伏领域的一个新成员,其吸光材料是基于有机-无机杂化的钙钛矿结构(最常见的为CH3NH3PbI3)的半导体材料,吸光范围宽,且自身具有高的载流子迁移率及较长的载流子寿命,光生电子和空穴能够迁移较长的距离,有利于其被外电路收集形成电流,因而电池能够获得高的光电转换效率。
目前,基于CH3NH3PbI3的钙钛矿型电池通常采用TiO2作为电子传输层,并且能够获得比较高的效率。但是此TiO2电子传输层结构需要两层结构,一层为致密的TiO2层,一层为介孔结构的TiO2层,而且都需要高达500℃温度烧结制备,两层厚度300nm以上,工艺较为复杂。
而采用溅射ZnO薄膜作为电子传输层,仅需要20nm以上,同时仅需一层,制备工艺较为简单,且具有较高的效率。
中国专利CN104091888A公开一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿型太阳能电池由FTO玻璃基底、三明治结构TiO2/ZnO/TiO2致密层、TiO2介孔/钙钛矿结构材料活性吸光层、spiro-OMeTAD空穴传输层与金电极组成。
中国专利CN104051629A公开一种基于喷涂工艺制备钙钛矿型太阳能电池的方法,具体为通过在透明导电基底上依次喷涂空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层以及顶电极而制备得到。通过改变喷涂工艺的不同参数,可以实现对器件质量及性能的调控。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池。
本实用新型从下至上依次设有铟锡氧化物(ITO)玻璃衬底、ZnO电子传输层、CH3NH3PbI3层、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层和金属背电极层;所述金属背电极层为Au背电极层或Ag背电极层。
所述铟锡氧化物(ITO)玻璃衬底的厚度可为100~150nm。
所述ZnO电子传输层的厚度可为20~120nm。
所述CH3NH3PbI3层的厚度可为20~120nm。
所述2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层的厚度可为40~60nm。
所述金属背电极层的厚度可为60~150nm。
本实用新型可采用以下方法制备:
步骤一:将ITO玻璃衬底切割成所需的25mm×25mm,用洗洁精和去离子水洗涤15min,以便去除油脂和有机物,然后依次用丙酮、乙醇、去离子水超声洗涤10min,氮气吹干待用,即制得导电玻璃衬底,厚度为100~150nm。
步骤二:在步骤一所得的ITO玻璃衬底上,通过磁控溅射制得所需厚度的ZnO薄膜,然后在150℃下加热10min退火,制得所需的溅射ZnO电子传输层。
步骤三:在70℃下,配制1mol/L PbI2的DMF溶液,然后利用匀胶机将PbI2溶液旋涂在电子传输层上,制得黄色的PbI2薄膜,在空气中干燥5min;然后将PbI2薄膜浸入10mg/mL CH3NH3I的异丙醇溶液,保持2min,然后用干净的异丙醇进行漂洗,氮气吹干,即制得棕色钙钛矿型材料CH3NH3PbI3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择