[实用新型]等离子体薄膜沉积装置有效
申请号: | 201420479374.1 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN203999809U | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 叶继春;邬苏东;高平奇;杨映虎;韩灿 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
地址: | 315201 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种等离子体薄膜沉积装置,该装置包括腔体、供气系统、等离子体喷枪系统、抽真空系统、射频电源系统和压力控制系统,所述腔体中设置有样品台;所述等离子体喷枪系统与所述供气系统连通;所述抽真空系统与所述腔体连通;所述压力控制系统与所述腔体连通,在所述压力控制系统中设置有压力控制阀;所述压力控制系统控制所述腔体的压力为0.05kPa至10kPa。本实用新型的等离子体薄膜沉积装置将腔体的压力控制在0.05kPa至10kPa之间,能够实现薄膜的高效、快速、低温沉积。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,包括:腔体,所述腔体中设置有样品台;供气系统,所述供气系统包括气源、流量控制装置和气体导入管;所述气源与所述气体导入管连通,所述流量控制装置设置在所述气体导入管上;等离子体喷枪系统,所述等离子体喷枪系统与所述气体导入管连通,所述等离子体喷枪系统的另一端与所述腔体连通;抽真空系统,所述抽真空系统与所述腔体连通;用于激发等离子体气体从而产生等离子体的射频电源系统;以及压力控制系统,所述压力控制系统与所述腔体连通,在所述压力控制系统中设置有压力控制阀;所述压力控制系统控制所述腔体的压力为0.05kPa至10kPa。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的