[实用新型]等离子体薄膜沉积装置

权利要求书

1.一种等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，包括：

腔体，所述腔体中设置有样品台；

供气系统，所述供气系统包括气源、流量控制装置和气体导入管；所述气源与所述气体导入管连通，所述流量控制装置设置在所述气体导入管上；

等离子体喷枪系统，所述等离子体喷枪系统与所述气体导入管连通，所述等离子体喷枪系统的另一端与所述腔体连通；

抽真空系统，所述抽真空系统与所述腔体连通；

用于激发等离子体气体从而产生等离子体的射频电源系统；以及

压力控制系统，所述压力控制系统与所述腔体连通，在所述压力控制系统中设置有压力控制阀；所述压力控制系统控制所述腔体的压力为0.05kPa至10kPa。

2.根据权利要求1所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述射频电源系统包括射频电感线圈和射频电源，所述射频电感线圈与所述射频电源连接，所述射频电源的功率为5kw至40kw，所述射频电源的频率为2MHz至40MHz。

3.根据权利要求2所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述等离子体喷枪系统包括冷却系统；

所述冷却系统包括第一冷却结构和/或第二冷却结构；

其中所述第一冷却结构中设置有适于气体通过的第一通孔，且在所述第一冷却结构中设置有第一冷却液；

所述第二冷却结构中设置有与所述第一通孔连通的第二通孔，所述第二通孔与所述腔体连通；且在所述第二冷却结构中设置有第二冷却液。

4.根据权利要求3所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述第一冷却结构的端部伸入所述第二通孔，且所述第一冷却结构的端部的位置高于所述射频电感线圈的位置或者与所述射频电感线圈的最靠近所述第一冷却结构的线圈的位置平齐。

5.根据权利要求4所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述第一冷却结构中还设置有气体延伸管，所述气体延伸管与所述第一冷却结构的第一通孔连通，所述气体延伸管的长度大于所述第一冷却结构的长度。

6.根据权利要求4所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述射频电感线圈环绕所述第二冷却结构的外壁设置。

7.根据权利要求5所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述气体延伸管所述气体延伸管的端部的位置位于所述射频电感线圈的最靠近第一冷却结构的线圈的中心。

8.根据权利要求4所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述气体导入管包括第一气体导入管和第二气体导入管，所述第一气体导入管与所述第一通孔连通；

在所述第二冷却结构的侧壁上设置有气体入口，所述第二气体导入管与所述气体入口连通。

9.根据权利要求8所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述第二气体导入管至少为两个。

10.根据权利要求1所述的等离子体薄膜沉积装置，其特征在于，所述腔体和/或所述样品台上均设置有冷却装置。