[实用新型]新型零伏响应雪崩光电探测器芯片

摘要

本实用新型公开一种新型零伏响应雪崩光电探测器芯片，包括：衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、场控层、顶层、接触层、N电极、Zn扩散区、钝化膜、增透膜及P电极，所述Zn扩散区通过Zn扩散工艺进行二次扩散而形成，所述Zn扩散区包括位于中部的倍增区以及位于外围的Zn扩散环，所述Zn扩散环的扩散深度大于所述倍增区的扩散深度。本实用新型中Zn扩散区的倍增区与Zn扩散环采用两次光刻窗口的方式及通过两次常规Zn扩散工艺所形成，制作简单快捷，可以批量生产；而且制得的雪崩光电探测器芯片无需要求偏压大于开通电压，即在零伏偏压下也有光响应电流，有利于耦合效率；还从根本上抑制了P区边缘击穿效应，有利于减小芯片尺寸。

主权项

一种新型零伏响应雪崩光电探测器芯片，其特征在于，包括：衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的吸收层、形成于所述吸收层上的过渡层、形成于所述过渡层上的场控层、形成于所述场控层上的顶层、形成于所述顶层上的接触层、形成于所述衬底底部的N电极、形成于所述接触层、顶层与场控层中的Zn扩散区、形成于所述接触层上的钝化膜、形成于所述Zn扩散区上的增透膜、以及形成于所述Zn扩散区、钝化膜与增透膜上的P电极，所述Zn扩散区通过Zn扩散工艺进行二次扩散而形成，所述Zn扩散区包括位于中部的倍增区以及位于外围的Zn扩散环，所述Zn扩散环的扩散深度大于所述倍增区的扩散深度。