[实用新型]新型零伏响应雪崩光电探测器芯片

权利要求书

1.一种新型零伏响应雪崩光电探测器芯片，其特征在于，包括：衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的吸收层、形成于所述吸收层上的过渡层、形成于所述过渡层上的场控层、形成于所述场控层上的顶层、形成于所述顶层上的接触层、形成于所述衬底底部的N电极、形成于所述接触层、顶层与场控层中的Zn扩散区、形成于所述接触层上的钝化膜、形成于所述Zn扩散区上的增透膜、以及形成于所述Zn扩散区、钝化膜与增透膜上的P电极，所述Zn扩散区通过Zn扩散工艺进行二次扩散而形成，所述Zn扩散区包括位于中部的倍增区以及位于外围的Zn扩散环，所述Zn扩散环的扩散深度大于所述倍增区的扩散深度。

2.根据权利要求1所述的新型零伏响应雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述衬底为n型半绝缘InP衬底；所述缓冲层为掺杂浓度大于1X10¹⁷cm^-3的InP缓冲层，所述缓冲层的厚度大于0.5且小于2um；所述吸收层为掺杂浓度低于5X10¹⁴cm^-3的InGaAs吸收层，所述吸收层的厚度大于1um且小于4um；所述过渡层为InGaAsP过渡层，所述过渡层的截止波长分别为1.45um、1.25um和1.05um，所述过渡层的厚度大于0.01um且小于0.2um；所述场控层为掺杂浓度大于1X10¹⁷cm^-3的InP场控层，所述场控层的厚度大于0.1um且小于0.4um；所述顶层为掺杂浓度小于1X10¹⁵cm^-3的InP顶层，所述顶层的厚度大于3um且小于5um；所述接触层为InGaAsP接触层，所述接触层的厚度大于0.1um且小于0.4um，所述接触层的截止波长为1.05um。

3.根据权利要求1所述的新型零伏响应雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述增透膜通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅而形成，所述钝化膜通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅和二氧化硅而形成。

4.根据权利要求1所述的新型零伏响应雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述P电极的厚度大于0.5um且小于2um，所述P电极通过热蒸发或电子束蒸发而形成；所述N电极的厚度大于0.2um且小于1.5um，所述N电极通过热蒸发或电子束蒸发而形成。

5.根据权利要求4所述的新型零伏响应雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述P电极由钛、铂、铬和金中一种或几种构成，所述N电极由金构成。