[实用新型]高散热性的发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201420379732.1 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN204067419U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张傑忠;刘秉承 | 申请（专利权）人： | 一宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;常大军 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高散热性的发光二极管封装结构，其包含一P型基板、一发光二极管以及一第一导电层，该P型基板包含一N型掺杂区以及一形成于该N型掺杂区的第一通孔，该N型掺杂区与该P型基板之间形成一齐纳二极管，该发光二极管包含一对应该第一通孔的正极以及一与该P型基板电性连接的负极，且该发光二极管固定设置于该P型基板一侧并覆盖该第一通孔，该第一导电层设置于该第一通孔内缘且与该正极电性连接。由于该第一通孔内的第一导电层直接连接于该发光二极管，不仅省去导线的设置，且可以用该P型基板直接进行散热，进而提升散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，包含：一P型基板，该P型基板包含一N型掺杂区，以及一形成于该N型掺杂区并贯通该P型基板的第一通孔，该N型掺杂区与该P型基板之间形成一齐纳二极管；一固定设置于该P型基板一侧并覆盖该第一通孔的发光二极管，该发光二极管包含一对应该第一通孔的正极以及一与该P型基板电性连接的负极；以及一设置于该第一通孔内缘且与该发光二极管的正极电性连接的第一导电层。
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