[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201420375327.2 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN204118075U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈胜利 | 申请（专利权）人： | 陈胜利 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体结构，包含：衬底，第二型浓掺杂源极、第一型浓掺杂体极、第二型浓掺杂漏极、设置于第二型浓掺杂漏极与第二型浓掺杂源极之间的栅极结构、以及厚氧化物隔离区。其中，厚氧化物隔离区设置于第二型浓掺杂源极与第一型浓掺杂体极之间，并且延伸取代第一型浓掺杂体极的多个接触点区域，以使第二型浓掺杂源极与第一型浓掺杂体极相隔离，从而降低高压半导体结构内ESD防护组件的触发电压，进而使高压半导体结构具有更好的ESD防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包含：衬底；第二型浓掺杂源极，设置于所述衬底的上层；第一型浓掺杂体极，设置于所述衬底的上层；第二型浓掺杂漏极，设置于所述衬底的上层；栅极结构，设置于所述第二型浓掺杂漏极与所述第二型浓掺杂源极之间；以及厚氧化物隔离区，设置于所述第二型浓掺杂源极与所述第一型浓掺杂体极之间，所述厚氧化物隔离区延伸取代所述第一型浓掺杂体极的多个接触点区域，以使所述第二型浓掺杂源极与所述第一型浓掺杂体极相隔离。
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