[实用新型]三维MEMS封装结构有效

专利信息
申请号: 201420357894.5 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN204022464U 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 万里兮;韩磊;黄小花;王晔晔;沈建树;钱静娴;王刚;夏文斌;卢梦泽 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德;段新颖
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种三维MEMS封装结构,包括MEMS芯片、覆盖硅板和多个功能芯片,通过金属凸点和密封圈实现了覆盖硅板与MEMS芯片的键合连接,将封装过程移植到覆盖硅板上,同时通过在覆盖硅板背面依次形成布线电路、钝化层、再布线电路和第一绝缘层以及在再布线电路上形成向外穿透第一绝缘层和向内穿透钝化层并电连接布线电路的多个金属导柱,并将功能芯片倒装焊接于对应的金属导柱上,能够将具有不同功能的功能芯片进行垂直堆叠封装,形成一种三维MEMS封装结构,从而达到大大减小芯片封装的总尺寸,提高组装效率、进一步缩短延迟、减少噪声和功耗的目的。
搜索关键词: 三维 mems 封装 结构
【主权项】:
一种三维MEMS封装结构,其特征在于:包括MEMS芯片(A)、覆盖硅板(B)和多个功能芯片(C),所述MEMS芯片的正面与所述覆盖硅板的正面用一密封圈和间隔排布的若干个用于电连接所述MEMS芯片的PIN脚的金属凸点键合连接;所述覆盖硅板的背面自内向外依次覆盖有一层布线电路、一层钝化层(5)、一层再布线电路和一层第一绝缘层(11),所述再布线电路上设有向外穿透所述第一绝缘层和向内穿透所述钝化层并电连接所述布线电路的多个金属导柱(9),所述功能芯片倒装焊接于对应的金属导柱上;所述覆盖硅板的周边设有与所述金属凸点对应的导电通孔,且所述导电通孔位于所述密封圈和所述金属凸点之间,所述导电通孔电连接所述金属凸点和所述布线电路。 
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