[实用新型]一种生长在Si衬底上的GaN薄膜有效
| 申请号： | 201420307702.X | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN203910838U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，包括Si衬底、AlN成核层、AlxGa1-xN步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜，所述AlN成核层、AlxGa1-xN步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜依次生长在Si衬底上，其中，x为0-1。本实用新型利用AlN成核层、AlxGa1-xN步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层的底层作用，解决了在Si上生长GaN薄膜过程中产生大量穿透位错的问题，使得生长在Si衬底上的GaN薄膜结构更加稳定，同时，克服了热应力失配给GaN薄膜造成裂纹的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 衬底 gan 薄膜 | ||
【主权项】：
一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括Si衬底、AlN成核层、AlxGa1‑xN步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜，所述AlN成核层、AlxGa1‑xN步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜依次生长在Si衬底上，其中，x为0‑1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市众拓光电科技有限公司，未经广州市众拓光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420307702.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：投影仪螺旋式升降微调机构
- 下一篇：一种用于色彩检验的相机
