[实用新型]一种生长在Si衬底上的GaN薄膜有效
| 申请号： | 201420307702.X | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN203910838U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 衬底 gan 薄膜 | ||
1.一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括Si衬底、AlN成核层、AlxGa1-xN步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜，所述AlN成核层、AlxGa1-xN步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜依次生长在Si衬底上，其中，x为0-1。
2.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述Si衬底以(111)晶面为外延面，晶体外延取向关系为：GaN(0001)晶面平行于Si(111)晶面，所述AlN成核层生长在Si(111)晶面上。
3.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述AlxGa1-xN步进缓冲层包括Al0.75Ga0.25N步进缓冲层、Al0.5Ga0.5N步进缓冲层和Al0.25Ga0.75N步进缓冲层，所述Al0.75Ga0.25N步进缓冲层、Al0.5Ga0.5N步进缓冲层和Al0.25Ga0.75N步进缓冲层从下到上依次生长在AlN成核层与AlN插入层之间。
4.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述AlN成核层厚度为10～100nm，所述Al0.75Ga0.25N步进缓冲层的厚度为50～120nm，所述Al0.5Ga0.5N步进缓冲层的厚度为100～200nm，所述Al0.25Ga0.75N步进缓冲层的厚度为150～300nm，所述的AlN插入层厚度为10～50nm，所述的GaN成核层厚度为200～500nm，所述的GaN薄膜厚度为1～2μm。
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