[实用新型]应用于晶圆级半导体器件的散热结构有效
| 申请号： | 201420211415.9 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN204118059U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡勇;徐飞;张亦斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应用于晶圆级半导体器件的散热结构，包括与所述晶圆级半导体器件连接的至少一散热壳体，所述晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加工形成的复数功能单胞，所述散热壳体内设有可储纳导热介质的空腔，且至少所述晶圆级半导体器件一面的至少与所述功能单胞相应的局部区域暴露于所述空腔内。进一步的，至少所述晶圆级半导体器件的暴露于所述空腔内的一面的局部区域上分布有散热机构。本实用新型具有结构简单，易于组装维护、低成本等特点，可使晶圆级半导体器件具有最短散热途径和最大散热效能，从而提高其工作稳定性，延长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 晶圆级 半导体器件 散热 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于晶圆级半导体器件的散热结构，其特征在于包括与所述晶圆级半导体器件连接的至少一散热壳体，所述散热壳体内设有可储纳导热介质的空腔，且至少所述晶圆级半导体器件一面的至少与功能单胞相应的局部区域暴露于所述空腔内， 所述晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加工形成的复数功能单胞，所述晶圆级基片的直径在2英寸以上。
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