[实用新型]新型倒装高压芯片外延片

摘要

本实用新型公开了一种新型倒装高压芯片外延片，包括多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间设置切割沟槽相隔离，每个LED芯片单元包括一个独立的LED芯片器件，该LED芯片器件包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，n-GaN层上形成有n型电极，p-GaN层上形成有p型电极，外延片的顶部覆盖有绝缘荧光层，绝缘荧光层填充于切割沟槽内、仅将用于与外部电连接的n型电极与p型电极露出。本实用新型采用可融入芯片工艺的发光薄膜作为绝缘层，其布局合理、结构新颖，绝缘荧光层发光效率高、填洞能力强、平整度高、绝缘性能好。

主权项

一种新型倒装高压芯片外延片，其特征在于：包括多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间设置切割沟槽（11）相隔离，每个所述的LED芯片单元包括一个独立的LED芯片器件，该LED芯片器件包括依次设置的蓝宝石衬底（1）、n‑GaN层（2）、多层量子阱层（3）、p‑GaN层（4），所述的n‑GaN层（2）上形成有n型电极（6），所述的p‑GaN层（4）上形成有p型电极（12），外延片的顶部覆盖有绝缘荧光层（7），所述的绝缘荧光层（7）填充于切割沟槽（11）内、仅将用于与外部电连接的n型电极（6）与p型电极（12）露出。