[实用新型]光电子集成芯片的封装结构有效

专利信息
申请号: 201420040487.1 申请日: 2014-01-23
公开(公告)号: CN203707560U 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 成璇璇;樊士彬;黄国涛;李凤 申请(专利权)人: 武汉电信器件有限公司
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;H01S5/024
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型提供了一种光电子集成芯片的封装结构,包括金属管壳、集成芯片、射频过渡块、直流过渡块以及芯片过渡块;集成芯片、射频过渡块、直流过渡块以及芯片过渡块、均装设于金属管壳内,集成芯片贴附于芯片过渡块上的金锡焊料区域,射频过渡块和直流过渡块均电性连接集成芯片,且直流过渡块设于射频过渡块的正上方,直流过渡块与射频过渡块之间设有垫块,射频过渡块和直流过渡块采用上下层设置,并且中间使用垫块连接,因此相对于在平面内设计的封装结构,光电子集成芯片的封装结构可有效的减小封装空间,使得产品微型化。
搜索关键词: 光电子 集成 芯片 封装 结构
【主权项】:
一种光电子集成芯片的封装结构,其特征在于,包括金属管壳、集成芯片、射频过渡块、直流过渡块以及芯片过渡块;    所述集成芯片、所述射频过渡块、所述直流过渡块以及所述芯片过渡块均装设于所述金属管壳内,所述集成芯片贴附于所述芯片过渡块上的金锡焊料区域,    所述射频过渡块和所述直流过渡块均电性连接所述集成芯片,且所述直流过渡块设于所述射频过渡块的正上方,所述直流过渡块与所述射频过渡块之间设有垫块。
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