[实用新型]光电子集成芯片的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电子器件领域，尤其涉及一种光电子集成芯片的封装结构。

背景技术

光子集成是近年来光通信产业的热门话题之一，是多年来业界公认的未来发展方向。但是光子集成技术提出30多年来，从业界的商用情况看整体仍旧处于初级阶段，还没有达到规模商用的条件，究其原因还是受制于光子集成技术本身的限制和供应链的单一、不成熟性。

光子集成按照实现集成的技术方式分类，可以分为单片集成（Monolithic Integration）和混合集成（Hybrid Integration）。其中单片集成指的是在单一衬底上实现预期的各种功能。混合集成指采用不同的材料实现，而后将这些不同的功能部件固定在一个统一的基片上。一般来讲，水平集成比较适合采用单片集成方式，垂直集成比较适合采用混合集成方式。但是业界的长期目标还是单片集成。

由于光纤通信网络的飞速发展，由分立光电子器件构造的光网络设备已经不能满足其要求。而集成芯片是实现大容量、低功耗光网络所必须依赖的技术。现有的集成芯片尺寸已经达到了微米数量级，这对器件小型化封装提出了更高的要求。过长或者过细的金丝都与导致电感效应，引入较多的寄生参数，影响整个阵列的高频性能。并且高度集成阵列芯片所引起的散热问题以及耦合效率的问题也难以解决。

因此有必要设计一种新型的光电子集成芯片的封装结构，以克服上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种可减小封装空间的光电子集成芯片的封装结构。

本实用新型是这样实现的：

    本实用新型提供一种光电子集成芯片的封装结构，包括金属管壳、集成芯片、射频过渡块、直流过渡块以及芯片过渡块；所述集成芯片、所述射频过渡块、所述直流过渡块以及所述芯片过渡块均装设于所述金属管壳内，所述集成芯片贴附于所述芯片过渡块上的金锡焊料区域，所述射频过渡块和所述直流过渡块均电性连接所述集成芯片，且所述直流过渡块设于所述射频过渡块的正上方，所述直流过渡块与所述射频过渡块之间设有垫块。

进一步地，所述直流过渡块与所述射频过渡块的相对两面均镀金。

进一步地，所述射频过渡块上设有多个过孔。

进一步地，所述光电子集成芯片的封装结构还包括一钨铜热沉，所述钨铜热沉设于所述金属管壳内，所述钨铜热沉上方设有准直透镜和聚焦透镜，所述准直透镜和所述聚焦透镜之间设有隔离器。

进一步地，还包括光纤组件，所述光纤组件与所述准直透镜、所述聚焦透镜位于同一直线上，且固定于所述钨铜热沉上。

更进一步地，所述钨铜热沉下方设有半导体制冷器，所述半导体制冷器位于所述金属管壳内。

本实用新型具有以下有益效果：

    所述射频过渡块和所述直流过渡块采用上下层设置，并且中间使用垫块连接，因此相对于在平面内设计的封装结构，所述光电子集成芯片的封装结构可有效的减小封装空间，使得产品微型化。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本实用新型实施例提供的光电子集成芯片的封装结构的立体图；

图2为本实用新型实施例提供的射频过渡块和所述直流过渡块的立体图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1-图2，本实用新型实施例提供一种光电子集成芯片的封装结构，包括金属管壳1、集成芯片3、射频过渡块5、直流过渡块4以及芯片过渡块2。所述集成芯片3、所述射频过渡块5、所述直流过渡块4以及所述芯片过渡块2均装设于所述金属管壳1内，所述金属管壳1密封设置。所述集成芯片3贴附于所述芯片过渡块2上的金锡焊料区域，也即是说，所述芯片过渡块2上溅射有金锡焊料，从而便于所述集成芯片3与芯片过渡块2的贴合，同时也可改善集成芯片3的散热。所述芯片过渡块2上还设有热敏电阻，用于监控激光器的工作温度。