[发明专利]一种高压芯片LED结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种高压芯片LED结构及其制作方法，通过三步PECVD生长法在隔离槽内填充绝缘材料，解决了LED器件良率和可靠性提升的问题；其次，本发明通过动态刻蚀工艺形成隔离槽，解决了常规刻蚀工艺刻蚀均匀性不足导致芯片因短路而失效的问题；另外，在P型外延层与扩展电极之间设置阻挡层和扩展辅助层，解决了LED芯片发光亮度和发光均匀性的问题；此外，通过常规蒸发方式制作出扩展电极，无需价格昂贵的溅射设备形成扩展电极，降低了高压LED芯片的生产成本。

主权项

一种高压芯片LED结构制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成发光半导体层，所述发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；刻蚀所述发光半导体层形成若干阶梯型通孔，所述阶梯型通孔包括凹槽以及与所述凹槽连通的隔离槽，所述凹槽暴露所述N型半导体层的表面，所述隔离槽暴露所述衬底的表面，所述阶梯型通孔将发光半导体层分割成若干分离的独立发光半导体层；通过PECVD工艺在所述发光半导体层上、所述凹槽底部暴露出的N型发光半导体层和所述隔离槽底部暴露出的衬底上形成绝缘薄膜防护层；通过PECVD工艺射频产生富氧等离子体以对所述阶梯型通孔的侧壁进行等离子体处理；通过PECVD工艺在所述绝缘薄膜防护层上继续沉积绝缘材料，直至填满所述阶梯型通孔；去除部分所述绝缘材料，仅保留所述隔离槽内以及所述P型发光半导体层靠近隔离槽的边缘的绝缘材料形成隔离层；在每个独立发光半导体层上形成P焊盘，在每个独立发光半导体层的阶梯型通孔内形成N焊盘，并将部分相邻的独立发光半导体层的N焊盘和P焊盘电连接形成串联结构；以及在所述独立发光半导体层所有暴露的表面上形成钝化保护层，所述钝化保护层具有暴露所述串联结构中为首的独立发光半导体层上的P焊盘和为尾的独立发光半导体层上的N焊盘的引线孔。