[发明专利]一种高压芯片LED结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高压芯片LED结构制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成发光半导体层，所述发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

刻蚀所述发光半导体层形成若干阶梯型通孔，所述阶梯型通孔包括凹槽以及与所述凹槽连通的隔离槽，所述凹槽暴露所述N型半导体层的表面，所述隔离槽暴露所述衬底的表面，所述阶梯型通孔将发光半导体层分割成若干分离的独立发光半导体层；

通过PECVD工艺在所述发光半导体层上、所述凹槽底部暴露出的N型发光半导体层和所述隔离槽底部暴露出的衬底上形成绝缘薄膜防护层；

通过PECVD工艺射频产生富氧等离子体以对所述阶梯型通孔的侧壁进行等离子体处理；

通过PECVD工艺在所述绝缘薄膜防护层上继续沉积绝缘材料，直至填满所述阶梯型通孔；

去除部分所述绝缘材料，仅保留所述隔离槽内以及所述P型发光半导体层靠近隔离槽的边缘的绝缘材料形成隔离层；

在每个独立发光半导体层上形成P焊盘，在每个独立发光半导体层的阶梯型通孔内形成N焊盘，并将部分相邻的独立发光半导体层的N焊盘和P焊盘电连接形成串联结构；以及

在所述独立发光半导体层所有暴露的表面上形成钝化保护层，所述钝化保护层具有暴露所述串联结构中为首的独立发光半导体层上的P焊盘和为尾的独立发光半导体层上的N焊盘的引线孔。

2.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，所述富氧等离子体是笑气等离子体。

3.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，通过动态刻蚀工艺在所述发光半导体层中形成隔离槽，所述动态刻蚀工艺包括：

步骤一：所述衬底相对静止于刻蚀机台的反应腔体内，采用感应耦合等离子体对发光半导体层执行刻蚀工艺；

步骤二：终止感应耦合等离子体刻蚀工艺，所述衬底发生对称性运动；

重复上述步骤一和步骤二直至形成所述隔离槽。

4.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，形成隔离层之后，在所述P型发光半导体层的部分区域上形成阻挡层。

5.如权利要求4所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，形成阻挡层的同时还在所述P型外延层上形成阵列排布的扩展辅助层。

6.如权利要求5所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，形成阻挡层之后，在所述P型发光半导体层和阻挡层上形成扩展电极。

7.如权利要求6所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，所述扩展电极通过蒸发、光刻和刻蚀工艺形成。

8.一种高压芯片LED结构，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的发光半导体层，所述发光半导体层包括依次层叠的N型发光半导体层、有源层和P型发光半导体层；

形成于所述发光半导体层中的若干阶梯型通孔，所述阶梯型通孔包括凹槽以及与所述凹槽连通的隔离槽，所述凹槽暴露所述N型发光半导体层的表面，所述隔离槽暴露所述衬底的表面，所述阶梯型通孔将发光半导体层分割成若干分离的独立发光半导体层；

形成于每个独立发光半导体层的隔离槽内并覆盖相邻的独立发光半导体层的P型发光半导体层边缘的隔离层；

形成于每个独立发光半导体层上的P焊盘，形成于每个独立发光半导体层的阶梯型通孔内的N焊盘，部分相邻的独立发光半导体层的N焊盘和P焊盘电连接形成串联结构；以及

形成于所述独立发光半导体层所有暴露的表面上的钝化保护层，所述钝化保护层具有暴露所述串联结构中为首的独立发光半导体层上的P焊盘和为尾的独立发光半导体层上的N焊盘的引线孔。

9.如权利要求8所述的高压芯片LED结构，其特征在于，还包括形成于所述P型发光半导体层上的阻挡层。

10.如权利要求9所述的高压芯片LED结构，其特征在于，还包括形成于所述P型外延层上阵列排布的扩展辅助层。

11.如权利要求9所述的高压芯片LED结构，其特征在于，还包括形成于所述P型发光半导体层上并覆盖所述阻挡层的扩展电极。