[发明专利]一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法有效
| 申请号： | 201410851645.6 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104538290B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 刘胜北;何志;刘斌;刘兴昉;杨香;樊中朝;王晓峰;王晓东;赵永梅;杨富华;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括步骤一清洗需要碳化硅晶片；步骤二将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四将高温炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气或氢气混合气体。本发明通过在碳化硅退火过程中，通入氢气，利用氢气来刻蚀碳化硅的表面，通过控制刻蚀深度来保证所需的离子分布。从而保证退火后碳化硅良好的表面状况。简化了离子激活的工艺过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 h2 刻蚀 进行 碳化硅 离子 激活 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入炉腔室内；步骤三：将炉腔室内温度升至刻蚀温度，仅通入氢气作为反应气体，进行微刻蚀过程，所述刻蚀温度范围为500℃‑2000℃；步骤四：将炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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